《武汉工程大学学报》  2023年04期 429-434   出版日期:2023-08-31   ISSN:1674-2869   CN:42-1779/TQ
铜掺杂二氧化锡纳米片对乙醇的气敏性能研究


近几十年来,氧化锌[1-2]、氧化铜[3-4]、氧化锡[5-6]、氧化铟[7-8]等单一金属氧化物作为半导体气敏材料得到了广泛的研究,因为它们对目标气体具有很高的响应值,而且制备工艺简单。其中,具有大激子结合能(130 meV)和高载流子迁移率(250 cm2·V-1·s-1)的 n 型宽带隙半导体二氧化锡(stannic oxide, SnO2)[9],由于其优异的电子特性,被认为是气敏传感器应用中最重要的候选材料之一。
众所周知,气敏传感器的传感特性与纳米材料的形貌、尺寸有着密切的关系。因此,首先要考虑的是控制良好形貌的SnO2。到目前为止,人们已经合成并广泛研究了多种形貌的SnO2纳米结构,包括纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米管、纳米片、空心球、纳米纤维和层状纳米结构。在这些结构中,二维纳米片结构[10- 11]由于其较大的比表面以及特殊的暴露晶面等特点,近年来受到了人们广泛的关注。文献中已有许多制备纳米 SnO2的技术,如化学气相沉积[12]、溶胶-凝胶技术[13]、水热[14]和静电纺丝[15]。其中,水热法是一种简便、常用、有效的低维结构制作方法。此外,将过渡金属元素掺杂到 SnO2纳米结构中是一种很有前途的方法,因为它改变了SnO2的电子性质和气体分子吸附位点,进而影响传感特性。在过渡金属掺杂剂中,铜显得尤为突出,因为它极大地促进了SnO2表面氧空位的形成。另外,表面活性剂还可以通过控制形貌来改善传感器的性能,例如Jin等[16]利用聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone, PVP)来优化铜(copper, Cu)掺杂的分级SnO2纳米花的形貌,辅助增强对丙酮的气敏性能。大量的研究表明,以上这些方法(形貌效应、掺杂效应)中的一种或两种对传感器的性能有很大的影响,且形貌效应、掺杂效应能进一步提高传感器的性能。也就是说,将这两个因素结合起来进行气敏研究是值得的。
本文采用水热法和煅烧过程合成了Cu掺杂的树叶片状SnO2纳米材料,并选择乙醇作为实验中的目标气体,研究了不同掺杂比的SnO2对乙醇的气敏性能。此外,还利用十六烷基三甲基溴化铵(hexadecyl trimethyl ammonium bromide, CTAB)来优化形貌。通过对纯SnO2和Cu掺杂SnO2纳米结构气敏性能的比较研究,证明了掺Cu对传感器性能的促进作用。
1 实验部分
1.1 试 剂
二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)、氢氧化钠(NaOH)、二水氯化铜(CuCl2·2H2O)、十六烷基三甲基溴化铵(hexadecyl trimethyl ammonium bromide, CTAB)以及乙醇、甲醇、丙酮、甲苯、二氯甲烷、乙醛等液体化学试剂,均采购于国药集团化学试剂有限公司。所用试剂均为分析纯,在使用前未经进一步提纯。
1.2 方 法
称取2.26 g SnCl2·2H2O、0.64 g CTAB和1.2 g NaOH,溶于35 mL去离子水中,并持续磁力搅拌1 h,再将其超声30 min。超声完毕后,将上述溶液转移至50 mL的水热釜中,并设置水热箱的温度为180 ℃,在此水热温度下保持10 h。水热过程结束后,等待反应釜冷却至室温,再通过无水乙醇、去离子水交叉洗涤各3次。然后,将离心产物在80 ℃下干燥6 h。将干燥产物置于马弗炉中,在500 ℃下退火3 h,升温速率为5 ℃/min。Cu掺杂SnO2纳米材料的合成采用上述方法,按 n(Cu)/n(SnO2)的比值为0%、1% 、2% 、3% 、4% 加入CuCl2· 2H2O,分别表示为SnO2、Cu1.0-SnO2、Cu2.0-SnO2、Cu3.0-SnO2、Cu4.0-SnO2。
1.3 材料表征
首先通过X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)检测所制备样品的组成成分和晶体结构,X射线粉末衍射仪的型号为德国BRUKER公司的D8 Advance型,该仪器的测试采用Cu靶Kα射线,波长λ为1.540 5 nm,2θ的扫描范围为10~ 90°,其步长为0.02°;再通过扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM)观察微观形貌,该测试仪器是德国生产的ZEISS Gemini 300型号,其分辨率:1.0 nm@15 kV,1.6 nm@1 kV。最后采用美国Thermo Scientific K-Alpha型号对样品进行X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)分析,其全谱扫描:通能为100 eV,步长1 eV;窄谱扫描:通能为50 eV,步长0.05 eV。
1.4 传感器的制备和气敏测试
用电子天平称取一定量的样品放置于玛瑙研钵中,研磨5~10 min,随后向玛瑙研钵中滴加少量无水乙醇,继续研磨,直至得到均匀的浆料。随后用移液枪将浆料均匀地涂覆在印刷有金叉指的电极上。然后将电极片在60 ℃下干燥,干燥完成后,置于400 ℃下退火处理2 h。待其自然冷却后,再将电极片置于气敏测试台上,在200 ℃下通电老化24 h后进行气敏测试。由于湿度会对气敏性能产生较大影响,故测量过程是在环境相对湿度约为35%的测试室中进行的。测试开始前,将气敏测试台的温度设定为某一定值,并等待气敏元件的电阻稳定下来。待其电阻值稳定后,向腔室注入若干体积的被测气体,若需检测易挥发性液体(如乙醇等),则需打开蒸发皿使其快速蒸发为气体。反应一段时间后,处于被测气体中的材料的电阻值(Rg)会稳定下来,随后打开腔室,材料在空气中又会稳定至某一阻值(Ra)。
2 结果与讨论
2.1 材料的表征
对材料进行XRD表征主要是为了研究材料的物相组成和晶体结构。图1(a)为纯SnO2和Cu1.0-SnO2、Cu2.0-SnO2、Cu3.0-SnO2、Cu4.0-SnO2的XRD全谱,从图中可以看出,所制备样品的所有衍射峰都很好地显示出SnO2的四方晶相,与标准卡片(JCPDS No.72-1147)的(110)、(101)、(200)、(211)晶面一一对应,从图中未观察到其他杂峰,说明所制备的材料的确是SnO2,但是却没有发现与Cu化合物相关的峰,这极有可能是因为掺杂量低于XRD检测技术的检测限,故检测不到其存在。图1(b)为(110)峰放大的波型,在Cu掺杂后的XRD图中可以发现峰向小角度的轻微偏移,这说明掺Cu引起了SnO2的晶格变形[9]。

<G:\武汉工程大学\2023\第4期\门慧瑶-1-1.tif><G:\武汉工程大学\2023\第4期\门慧瑶-1-2.tif>[10 20 30 40 50 60 70 80 90
2θ / (°)][强度 (a.u.)][SnO2][Cu1.0-SnO2][Cu2.0-SnO2][Cu3.0-SnO2][Cu4.0-SnO2][JCPDS No.72-1147][(110)][(101)][(200)][(211)][24 26 28 30
2θ / (°)][强度 (a.u.)][(110)][b][a]
图1 (a)SnO2和Cu掺杂SnO2的XRD图谱;
(b)(110) 峰高分辨XRD图谱
Fig.1 (a) XRD patterns of SnO2 and Cu doped SnO2;
(b) High-resolution XRD patterns of (110) peaks
图2是经过180 ℃水热处理10 h后获得的Cu2.0-SnO2样品的典型SEM图。从图2(a)中看到样品由树叶状的纳米片堆积而成,图2(b)为其局部放大后的图片,对纳米片的厚度进行了测量,发现这种树叶片状结构极薄,厚度约为10 nm。
<G:\武汉工程大学\2023\第4期\门慧瑶-2.tif>[b][a][500 nm][100 nm]
图2 Cu2.0-SnO2树叶状纳米片的SEM图:
(a)500 nm,(b)100 nm
Fig. 2 SEM images of Cu2.0-SnO2 leaf-like nanosheets:
(a)500 nm,(b)100 nm
为了进一步获得Cu掺杂后的SnO2树叶状纳米片的表面化学组成和价态,对未掺杂SnO2和 Cu2.0-SnO2进行了 XPS 表征分析,如图3所示。图3(a)和(b)显示了Cu2.0-SnO2样品的全谱和Cu 2p的高分辨率光谱,在全谱中可以看到有关Sn、O、Cu和C的峰,C 1s为校正峰,以284.80 eV 结合能为能量标准进行荷电校正。因此可以证明Cu2.0-SnO2树叶状纳米片的确是由Sn、O、Cu 3种元素组成。Cu 2p图谱在932.71 和952.45 eV 处有2个峰,分别对应于 Cu1+ 和 Cu2+ 的Cu 2p3/2和 Cu 2p1/2态[17]。Sn 3d图谱[图4(a)]显示在结合能 494.81 和 486.38 eV 处的2个 Sn 峰,对应于 Sn4+ 的 Sn 3d3/2 和 Sn 3d5/2 态,间距为 8.4 eV,表明 SnO2 的形成[18]。O 1s图谱[图4(b)]显示出分别位于530.31和531.35 eV的2个峰,分别属于晶格氧(OL)和氧空位(OV)。由图4(b)可知,Cu掺杂SnO2使得O 1s峰面积变大,说明此时氧空位增加[17]。氧空位增加带来对还原性气体(如乙醇等)气敏性能的提升,从而进一步提高传感器的响应。
2.2 材料的气敏性能测试
测试了基于SnO2、Cu1.0-SnO2、Cu2.0-SnO2、Cu3.0-SnO2和Cu4.0-SnO2气敏传感器的气敏性能。这些传感器属于化学电阻式传感器,加之半导体表面的化学吸附氧(O-2、O-和 O2-)也与温度关系密切,因此研究工作温度对气敏性能的影响十分重要。图5为掺杂Cu的摩尔比为0%、1%、2%、3%、4%的气敏材料在不同温度下对100×10-6乙醇的响应曲线,不难发现响应值随温度的不断增高呈现先增加后降低的趋势,可将这种气敏现象归结于以下解释:在较低温度范围(150~250 ℃)内,温度的升高过程有利于吸附于材料表面的乙醇分子克服反应势垒,使乙醇气体更容易与气敏材料相互作用,而在较高的温度范围(275~350 ℃)内,材料的脱附能力对反应过程影响较大,则乙醇气体与材料的作用程度减弱,响应值减小。从图中还可以看出,掺杂后的响应值均比未掺杂的SnO2高出许多,其中,基于掺杂量为摩尔分数2%的SnO2传感器在250 ℃时达到了139.65,而未掺杂SnO2的响应值仅为27.63,最佳掺杂比的响应值约是纯SnO2的5倍。
<G:\武汉工程大学\2023\第4期\门慧瑶-5.tif>[150 200 250 300 350
温度 / ℃][160
140
120
100
80
60
40
20
0
][响应值(Ra / Rg)][SnO2
Cu1.0-SnO2
Cu2.0-SnO2
Cu3.0-SnO2
Cu4.0-SnO2]
图5 SnO2和Cu掺杂SnO2传感器在不同温度下对
100×10-6乙醇响应
Fig. 5 Responses of SnO2 and Cu-doped SnO2 sensors to 100×10-6 ethanol at different temperatures
在确定最佳工作温度后,对这一温度下的纯SnO2和Cu2.0-SnO2气敏传感器可检测气体的浓度范围均进行了测试,如图6(a)所示。不难发现,虽然检测浓度范围都在(0.5~500)×10-6内,但是处于相同乙醇气体浓度中时, Cu2.0-SnO2传感器的响应值均比纯SnO2有了提高。另外,Cu2.0-SnO2传感器响应曲线增长的斜率也比纯SnO2传感器的大,说明其检测上限高于500×10-6,而插图显示纯SnO2和Cu2.0-SnO2传感器的检测限低至0.5×10-6。图6(b)为Cu2.0-SnO2传感器在250 ℃下对0.5~500×10-6乙醇的动态响应-恢复曲线,其检测的乙醇浓度分别为0.5×10-6,1×10-6,5×10-6,10×10-6,50×10-6,100×10-6,200×10-6,500×10-6,为避免低浓度的动态响应-恢复曲线观察不直观,插图中放大了浓度分别为0.5×10-6、1×10-6、5×10-6的动态响应-恢复曲线。所有浓度下的响应值随浓度增大依次为1.44,2.55,5.90,12.74,48.03,139.65,259.66,784.05。
作为比较重要的气敏性能参数,响应时间(tres)和恢复时间(trec)在一定程度上反映了气敏传感器的实时监测能力。基于这一点,图7(a)和图7(b)分别给出了纯SnO2和Cu2.0-SnO2传感器在250 ℃的最佳工作温度下对100×10-6乙醇的响应-恢复曲线。简单对比下,可以发现基于Cu2.0-SnO2的气敏传感器的响应时间(2 s)快于SnO2传感器(4 s),然而,两种传感器的恢复时间都稍长。
另外,一个好的乙醇传感器应该能够识别乙醇气体,传感器的选择性性能如图8所示。纯 SnO2、Cu1.0-SnO2、Cu2.0-SnO2、Cu3.0-SnO2和Cu4.0-SnO2对100×10-6的乙醇、甲醇、丙酮、甲苯、二氯甲烷和乙醛在250 ℃时的响应有明显的变化。与纯 SnO2相比,Cu2.0-SnO2样品对所有测试挥发性有机气体的响应均增强。显然,Cu2.0-SnO2 树叶状纳米片对乙醇的响应最佳(响应值约为139.65),对甲醇、丙酮、甲苯、二氯甲烷和乙醛的交叉响应可忽略不计。相比之下,纯SnO2传感器对所有测试的挥发性有机气体显示出较低的响应和选择性。
3 结 论
本文通过水热法成功合成了Cu掺杂的具有增强乙醇气敏特性的树叶片状SnO2纳米结构。XRD结果表明Cu成功掺入SnO2晶格中;SEM结果研究表明,在Cu掺杂的SnO2样品中存在树叶片状纳米结构,并且这种片状结构的厚度极薄;XPS分析结果证明Cu的掺杂使SnO2的氧空位浓度增强。气敏分析测试结果表明,与纯 SnO2纳米结构相比,采用摩尔分数2% Cu掺杂的SnO2纳米结构制备的传感器的乙醇气敏性能有了很大提高,对乙醇的选择性很好。